Tulosta sivu
BFU520AR
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Tuotetiedot
ValmistajaNXP
Valmistajan osanumeroBFU520AR
Tilauskoodi2776271RL
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency10GHz
Power Dissipation450mW
Continuous Collector Current30mA
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min60hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
10GHz
Continuous Collector Current
30mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
450mW
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0003
Tuotteen jäljitettävyys