Tulosta sivu
Tuotetiedot
ValmistajaNXP
Valmistajan osanumeroBAP64-02,115
Tilauskoodi1757789RL
TuotevalikoimaBAP64
Tekninen tuotetietolomake
Diode ConfigurationSingle
Resistance @ If0.7ohm
Reverse Voltage175V
Diode Case StyleSOD-523
No. of Pins2 Pin
Diode Capacitance0.35pF
Forward Current100mA
Operating Temperature Max150°C
Forward Voltage1.1V
Power Dissipation715mW
Diode MountingSurface Mount
Product RangeBAP64
SVHCTo Be Advised
Tuotteen yleiskatsaus
The BAP64-02,115 is a Silicon PIN Diode designed with ultra-small plastic SMD package. It is high voltage current controlled device. It is suitable for RF attenuators and switches and for applications up to 6GHz.
- RF resistor for RF attenuators and switches
- Low diode capacitance
- Low diode forward resistance
- Very low series inductance
- -65 to 150°C Junction temperature range
Sovellukset
RF Communications, Power Management, Automotive, Industrial
Tekniset tiedot
Diode Configuration
Single
Reverse Voltage
175V
No. of Pins
2 Pin
Forward Current
100mA
Forward Voltage
1.1V
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Resistance @ If
0.7ohm
Diode Case Style
SOD-523
Diode Capacitance
0.35pF
Operating Temperature Max
150°C
Power Dissipation
715mW
Product Range
BAP64
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000006
Tuotteen jäljitettävyys