Tulosta sivu
AFT09MS007NT1
RF FET Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
129 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 2,980 € |
| 500+ | 2,650 € |
| 1000+ | 2,270 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
303,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaNXP
Valmistajan osanumeroAFT09MS007NT1
Tilauskoodi2776255RL
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds30VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation114W
Operating Frequency Min136MHz
Operating Frequency Max941MHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
AFT09MS007NT1 is a RF power LDMOS transistor designed for handheld two way radio applications with frequencies from 136 to 941MHz. The high gain, ruggedness and wideband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in handheld radio equipment. Typical applications output stage VHF band handheld radio, output stage UHF band handheld radio, output stage for 700–800MHz handheld radio.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Wideband full power across the band
- Exceptional thermal performance
- Extreme ruggedness
- High linearity for: TETRA, SSB
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
30VDC
Power Dissipation
114W
Operating Frequency Max
941MHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
136MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000858
Tuotteen jäljitettävyys