Tulosta sivu
PMV120ENEAR
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.1 A, 0.096 ohm, TO-236AB, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Tuotetiedot
ValmistajaNEXPERIA
Valmistajan osanumeroPMV120ENEAR
Tilauskoodi2628085RL
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance0.096ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation513mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
513mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.096ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002722
Tuotteen jäljitettävyys