Tulosta sivu
PMN230ENEX
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Tuotetiedot
ValmistajaNEXPERIA
Valmistajan osanumeroPMN230ENEX
Tilauskoodi2900293RL
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.176ohm
Transistor Case StyleSOT-457
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation475mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-457
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
475mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.176ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000004
Tuotteen jäljitettävyys