Tulosta sivu
PMD3001D,115
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 330 mW
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
8 318 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,243 € |
| 50+ | 0,158 € |
| 100+ | 0,153 € |
| 500+ | 0,150 € |
| 1500+ | 0,147 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
1,21 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaNEXPERIA
Valmistajan osanumeroPMD3001D,115
Tilauskoodi1524143
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN1A
Continuous Collector Current PNP1A
Power Dissipation NPN330mW
Power Dissipation PNP330mW
DC Current Gain hFE Min NPN450hFE
DC Current Gain hFE Min PNP450hFE
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The PMD3001D is a NPN-PNP Bipolar Transistor Array connected as push-pull driver in a surface-mount plastic package. It is suitable for MOSFET driver, power bipolar transistor driver and output current booster for operational amplifier.
- Low VCEsat breakthrough in small signal (BISS) transistors in push-pull configuration
- Application-optimized pin-out
- Space-saving solution
- Internal connections to minimize layout effort
- Reduces component count
Sovellukset
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Automation & Process Control, Industrial
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current PNP
1A
Power Dissipation PNP
330mW
DC Current Gain hFE Min PNP
450hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Continuous Collector Current NPN
1A
Power Dissipation NPN
330mW
DC Current Gain hFE Min NPN
450hFE
Transistor Case Style
SuperSOT
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000015
Tuotteen jäljitettävyys