Tulosta sivu
NSF060120D7A0J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
800 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 10+ | 15,460 € |
| 50+ | 14,420 € |
| 100+ | 13,380 € |
| 250+ | 13,110 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 10
Useita: 1
159,60 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaNEXPERIA
Valmistajan osanumeroNSF060120D7A0J
Tilauskoodi4416135RL
Tekninen tuotetietolomake
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.09ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation167W
Operating Temperature Max175°C
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tekniset tiedot
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
167W
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001498
Tuotteen jäljitettävyys