Tulosta sivu
BSS192,115
Power MOSFET, P Channel, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
13 064 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,880 € |
| 10+ | 0,651 € |
| 50+ | 0,541 € |
| 200+ | 0,431 € |
| 500+ | 0,321 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
0,88 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaNEXPERIA
Valmistajan osanumeroBSS192,115
Tilauskoodi1758088
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds240V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance12ohm
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BSS192,115 is a P-channel enhancement-mode vertical double-diffused FET in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. The DMOSFET is suitable for relay driver, high-speed line driver, high -side load switch and switching circuit applications.
- Direct interface to Complementary (C-MOS) transistor and Transistor-Transistor Logic (TTL) devices
- Very fast switching
- No secondary breakdown
- -55 to 150°C Junction temperature range
Sovellukset
Power Management, Industrial
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-89
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
240V
Drain Source On State Resistance
12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle BSS192,115
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hong Kong
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hong Kong
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000109
Tuotteen jäljitettävyys