Tulosta sivu
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaMICRON
Valmistajan osanumeroMT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Tilauskoodi4167677
Tekninen tuotetietolomake
272 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 71,020 € |
| 5+ | 69,190 € |
| 10+ | 67,360 € |
| 25+ | 65,530 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
71,02 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaMICRON
Valmistajan osanumeroMT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Tilauskoodi4167677
Tekninen tuotetietolomake
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
Memory Configuration2G x 32bit
Clock Frequency Max2133MHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Tuotteen yleiskatsaus
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C is a 64Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel x 16 I/O, each channel having 8-banks.
- 2 Gig x 32 configuration, 4266Mb/s data rate pin
- LPDDR4, 4 die count
- Operating voltage range from 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ
- 16n prefetch DDR architecture
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies, programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
- Automotive AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from -40°C to +105°C
Tekniset tiedot
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
2G x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
64Gbit
Clock Frequency Max
2133MHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Singapore
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Singapore
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001705
Tuotteen jäljitettävyys