Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
532 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
Määrä | |
---|---|
1+ | 3,730 € |
10+ | 3,370 € |
25+ | 3,210 € |
50+ | 3,100 € |
100+ | 2,990 € |
250+ | 2,970 € |
500+ | 2,950 € |
1000+ | 2,930 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
3,73 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaMICRON
Valmistajan osanumeroMT41K128M8DA-107:J
Tilauskoodi4050840
Tekninen tuotetietolomake
DRAM TypeDDR3L
Memory Density1Gbit
Memory Configuration128M x 8bit
Clock Frequency Max933MHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins78Pins
Supply Voltage Nom1.35V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tuotteen yleiskatsaus
MT41K128M8DA-107:J is a DDR3L SDRAM. It uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM consists of a single 8n-bit-wide, four-clock cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.
- 128Meg x 8 configuration, data rate is 1866MT/s
- Packaging style is 78-ball 8mm x 10.5mm FBGA
- Timing (cycle time) is 1.07ns at CL = 13 (DDR3-1866)
- Operating temperature range is 0°C to +95°C, multipurpose register
- Supply voltage range is 1.283V to 1.45V, output driver calibration
- Differential bidirectional data strobe, 8n-bit prefetch architecture
- Differential clock inputs (CK, CK#), 8 internal banks
- Programmable CAS (READ) latency (CL), programmable CAS additive latency (AL)
- Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF), self refresh mode
- Self refresh temperature (SRT), automatic self refresh (ASR)
Tekniset tiedot
DRAM Type
DDR3L
Memory Configuration
128M x 8bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.35V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
-
Memory Density
1Gbit
Clock Frequency Max
933MHz
No. of Pins
78Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys