Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaMICRON
Valmistajan osanumeroMT25QL512ABB8E12-0SIT
Tilauskoodi3530751
Tuotevalikoima3V Serial NOR Flash Memories
Tekninen tuotetietolomake
60 Varastossa
1 122 Voit varata tuotteen varastosta nyt
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 6,630 € |
| 10+ | 6,170 € |
| 25+ | 5,980 € |
| 50+ | 5,840 € |
| 100+ | 5,700 € |
| 250+ | 5,510 € |
| 500+ | 5,370 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
6,63 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaMICRON
Valmistajan osanumeroMT25QL512ABB8E12-0SIT
Tilauskoodi3530751
Tuotevalikoima3V Serial NOR Flash Memories
Tekninen tuotetietolomake
Flash Memory TypeSerial NOR
Memory Density512Mbit
Memory Configuration128M x 4bit
InterfacesSPI
IC Case / PackageTBGA
No. of Pins24Pins
Clock Frequency Max133MHz
Access Time-
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Serial NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tuotteen yleiskatsaus
MT25QL512ABB8E12-0SIT is a 3V, multiple I/O, sector erase, high-performance multiple input/output serial NOR flash memory device. It features a high-speed SPI-compatible bus interface, execute-in-place (XIP) functionality, advanced write protection mechanisms, and extended address access. Innovative, high-performance, dual, and quad input/output commands enable double or quadruple the transfer bandwidth for READ and PROGRAM operations.
- Voltage range from 2.7 to 3.6V, 512Mb (64MB) density, 1 die/1 S# stack, 2nd generation
- Die Rev. B, RESET# and HOLD# pin configuration, 64KB sectors, 4KB and 32KB sub-sectors size
- Standard default security
- SPI-compatible serial bus interface, single and double transfer rate (STR/DTR)
- 133MHz (MAX) for all protocols in STR, 90MHz (MAX) for all protocols in DTR
- Dual/quad I/O commands for increased throughput up to 90MB/s
- Extended I/O protocol, dual I/O protocol, quad I/O protocol, minimum 100,000 ERASE cycles per sector
- Execute-in-place (XIP), PROGRAM/ERASE SUSPEND operations, data retention: 20 years (TYP)
- Volatile and non-volatile configuration settings, software reset, reset pin available
- 24-ball T-PBGA package, operating temperature range from -40°C to +85°C
Tekniset tiedot
Flash Memory Type
Serial NOR
Memory Configuration
128M x 4bit
IC Case / Package
TBGA
Clock Frequency Max
133MHz
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
512Mbit
Interfaces
SPI
No. of Pins
24Pins
Access Time
-
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:United States
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:United States
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002268