Tulosta sivu
IXTN40P50P
MOSFET Transistor, P Channel, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
128 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 33,410 € |
| 5+ | 29,110 € |
| 10+ | 24,800 € |
| 50+ | 23,900 € |
| 100+ | 23,000 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
33,41 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXTN40P50P
Tilauskoodi3930196
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.23ohm
On Resistance Rds(on)0.23ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd890W
Power Dissipation890W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tuotteen yleiskatsaus
P-channel enhancement mode avalanche rated PolarP™ power MOSFET suitable for use in high-side switches, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged PolarP™ process
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
890W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.23ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
890W
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys