Tulosta sivu
IXTN200N10L2
MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXTN200N10L2
Tilauskoodi3771792
TuotevalikoimaLinearL2 Series
Tekninen tuotetietolomake
186 Varastossa
470 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 4 työpäivässä(US stock)
Tilaus ennen klo. 18:00, normaali toimitus
Toimitusmaksu: 25,00 € kerran per tilaus. Varastossa olevien tuotteiden toimitusaika on 4-5 päivää.
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 47,460 € |
| 5+ | 41,650 € |
| 10+ | 35,840 € |
| 25+ | 35,130 € |
| 50+ | 34,410 € |
| 100+ | 33,700 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
47,46 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXTN200N10L2
Tilauskoodi3771792
TuotevalikoimaLinearL2 Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id178A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleSOT-227
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeLinearL2 Series
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Transistor Case Style
SOT-227
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
830W
No. of Pins
4Pins
Product Range
LinearL2 Series
Continuous Drain Current Id
178A
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.023587