Tulosta sivu
IXFP36N20X3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 36 A, 0.045 ohm, TO-220, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
116 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 3,820 € |
| 10+ | 2,430 € |
| 100+ | 2,170 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
3,82 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXFP36N20X3
Tilauskoodi3930246
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Tuotteen yleiskatsaus
N-channel enhancement mode X3-Class HiPERFET™ power MOSFET suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, PFC circuits, robotics and servo controls application.
- Low RDS(on) and QG
- Avalanche rated
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001