Tulosta sivu
IXFN90N85X
MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
116 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 49,460 € |
| 5+ | 46,350 € |
| 10+ | 43,250 € |
| 50+ | 40,140 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
49,46 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXFN90N85X
Tilauskoodi3930244
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds850V
Drain Source On State Resistance0.041ohm
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation1.2kW
Power Dissipation Pd1.2kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tuotteen yleiskatsaus
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, robotics and servo controls application.
- X-Class HiPerFET™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.2kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
850V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation Pd
1.2kW
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys