Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXFN520N075T2
Tilauskoodi3771785
TuotevalikoimaTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Tekninen tuotetietolomake
269 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 4 työpäivässä(US stock)
Tilaus ennen klo. 18:00, normaali toimitus
Toimitusmaksu: 25,00 € kerran per tilaus. Varastossa olevien tuotteiden toimitusaika on 4-5 päivää.
Määrä | |
---|---|
1+ | 33,420 € |
5+ | 29,070 € |
10+ | 24,720 € |
25+ | 23,260 € |
100+ | 21,810 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
33,42 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXFN520N075T2
Tilauskoodi3771785
TuotevalikoimaTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id480A
Drain Source Voltage Vds75V
Drain Source On State Resistance0.0015ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-227
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation940W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
940W
No. of Pins
4Pins
Product Range
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
Continuous Drain Current Id
480A
Drain Source On State Resistance
0.0015ohm
Transistor Case Style
SOT-227
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.044725
Tuotteen jäljitettävyys