Tulosta sivu
IXFN110N60P3
MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 5 V
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Saatavilla tilauksesta
rekisteröi kiinnostuksesi tästä
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 35,200 € |
| 5+ | 33,190 € |
| 10+ | 31,180 € |
| 50+ | 29,170 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
35,20 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXFN110N60P3
Tilauskoodi3930551
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.056ohm
On Resistance Rds(on)0.056ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.5kW
Power Dissipation Pd1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tuotteen yleiskatsaus
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low package inductance
- Low RDS(on) and QG
- Easy to mount
- Space savings
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.056ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.056ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.5kW
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys