Tulosta sivu
IXFH60N65X2-4
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXFH60N65X2-4
Tilauskoodi3996602
TuotevalikoimaHiPerFET Series
Tekninen tuotetietolomake
354 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 12,100 € |
| 5+ | 11,170 € |
| 10+ | 10,240 € |
| 50+ | 9,300 € |
| 100+ | 8,370 € |
| 250+ | 7,440 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
12,10 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaLITTELFUSE
Valmistajan osanumeroIXFH60N65X2-4
Tilauskoodi3996602
TuotevalikoimaHiPerFET Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation780W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
SVHC
To Be Advised
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:South Korea
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0001
Tuotteen jäljitettävyys