Tulosta sivu
IXGR40N60B2D1
IGBT, Isolated, 60 A, 1.9 V, 167 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXGR40N60B2D1
Tilauskoodi1300115
Tekninen tuotetietolomake
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXGR40N60B2D1
Tilauskoodi1300115
Tekninen tuotetietolomake
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tekniset tiedot
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
167W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.005