Tulosta sivu
IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN80N50
Tilauskoodi7348029
TuotevalikoimaHiPerFET Series
Tekninen tuotetietolomake
94 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
Saatavilla kunnes tavara loppuu
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 55,930 € |
| 5+ | 53,130 € |
| 10+ | 40,620 € |
| 50+ | 39,530 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
55,93 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN80N50
Tilauskoodi7348029
TuotevalikoimaHiPerFET Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation780W
Power Dissipation Pd780W
Transistor Case StyleISOTOP
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Tuotteen yleiskatsaus
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Sovellukset
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation Pd
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
780W
Transistor Case Style
ISOTOP
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.234507