Tulosta sivu
IXFN360N10T
MOSFET Transistor, GigaMOS™, N Channel, 360 A, 100 V, 0.0026 ohm, 100 V, 4.5 V, SOT-227B
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN360N10T
Tilauskoodi2784061
TuotevalikoimaTrench HiperFET
Tekninen tuotetietolomake
380 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
Ei voi peruuttaa / Ei voi palauttaa
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 25,990 € |
| 5+ | 22,500 € |
| 10+ | 19,010 € |
| 50+ | 18,530 € |
| 100+ | 18,040 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
25,99 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN360N10T
Tilauskoodi2784061
TuotevalikoimaTrench HiperFET
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id360A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage100V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Power Dissipation Pd830W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tuotteen yleiskatsaus
Sovellukset
Medical
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
360A
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage
100V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
830W
Product Range
Trench HiperFET
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:United States
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:United States
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.03