Tulosta sivu
IXFN180N15P
MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN180N15P
Tilauskoodi1427321
Tekninen tuotetietolomake
487 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 26,310 € |
| 5+ | 22,790 € |
| 10+ | 19,260 € |
| 50+ | 18,790 € |
| 100+ | 18,320 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
26,31 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN180N15P
Tilauskoodi1427321
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source Voltage Vds150V
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Tuotteen yleiskatsaus
The IXFN180N15P is a 150V N-channel Enhancement Mode PolarHV™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Fast recovery diode
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance offers easy to drive and protect
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
Sovellukset
Industrial
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
150A
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.040823