Tulosta sivu
IXFN140N30P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN140N30P
Tilauskoodi1427320
Tekninen tuotetietolomake
155 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 31,020 € |
| 5+ | 26,970 € |
| 10+ | 22,920 € |
| 50+ | 22,720 € |
| 100+ | 22,520 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
31,02 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFN140N30P
Tilauskoodi1427320
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Tuotteen yleiskatsaus
The IXFN140N30P is a Polar™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers and high speed power switching applications.
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Sovellukset
Power Management, Motor Drive & Control
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
700W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
140A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.03
Tuotteen jäljitettävyys