Tulosta sivu
IXFH170N10P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFH170N10P
Tilauskoodi1427292
Tekninen tuotetietolomake
320 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 11,260 € |
| 5+ | 10,060 € |
| 10+ | 8,860 € |
| 50+ | 8,540 € |
| 100+ | 8,210 € |
| 250+ | 8,050 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
11,26 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroIXFH170N10P
Tilauskoodi1427292
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation714W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Tuotteen yleiskatsaus
The IXFH170N10P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-to-DC converters and laser drivers.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Sovellukset
Power Management, Motor Drive & Control, Robotics
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
714W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.006
Tuotteen jäljitettävyys