Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroDSEI2X30-10B
Tilauskoodi2674732
TuotevalikoimaDSEI
Tekninen tuotetietolomake
Ei varastossa enää
Tuotetiedot
ValmistajaIXYS SEMICONDUCTOR
Valmistajan osanumeroDSEI2X30-10B
Tilauskoodi2674732
TuotevalikoimaDSEI
Tekninen tuotetietolomake
Repetitive Peak Reverse Voltage1kV
Average Forward Current30A
Forward Voltage Max2.4V
Diode Module ConfigurationDual Isolated
Diode Case StyleSOT-227B
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Forward Surge Current200A
Diode MountingPanel
Product RangeDSEI
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Repetitive Peak Reverse Voltage
1kV
Forward Voltage Max
2.4V
Diode Case Style
SOT-227B
Operating Temperature Max
150°C
Diode Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Average Forward Current
30A
Diode Module Configuration
Dual Isolated
No. of Pins
4Pins
Forward Surge Current
200A
Product Range
DSEI
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.03
Tuotteen jäljitettävyys