Tulosta sivu
SPW24N60C3FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24.3 A, 0.14 ohm, TO-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroSPW24N60C3FKSA1
Tilauskoodi2443413
Vaihtoehtoinen nimiSPW24N60C3, SP000014695
Tekninen tuotetietolomake
39 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 5,790 € |
| 10+ | 4,270 € |
| 100+ | 2,750 € |
| 500+ | 2,360 € |
| 1000+ | 2,310 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
5,79 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroSPW24N60C3FKSA1
Tilauskoodi2443413
Vaihtoehtoinen nimiSPW24N60C3, SP000014695
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24.3A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation240W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The SPW24N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features ultra low gate charge. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter Applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Field proven CoolMOS™ quality
- High reliability
- Outstanding performance
- High efficiency and power density
Sovellukset
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24.3A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (1)
Vaihtoehdot osanumerolle SPW24N60C3FKSA1
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.063503
Tuotteen jäljitettävyys