Tulosta sivu
SPA08N80C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-220FP, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroSPA08N80C3XKSA1
Tilauskoodi1095691
Vaihtoehtoinen nimiSPA08N80C3, SP000216310
Tekninen tuotetietolomake
968 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,490 € |
| 10+ | 1,850 € |
| 100+ | 1,380 € |
| 500+ | 1,090 € |
| 1000+ | 0,959 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,49 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroSPA08N80C3XKSA1
Tilauskoodi1095691
Vaihtoehtoinen nimiSPA08N80C3, SP000216310
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.65ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The SPA08N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for solar, PC Power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Periodic avalanche rated
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Fully isolated package
- Improved transconductance
- Low specific ON-state resistance
- Field proven CoolMOS™ quality
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Sovellukset
Industrial, Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.65ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle SPA08N80C3XKSA1
3 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.003742
Tuotteen jäljitettävyys