Tulosta sivu
SI4435DYTRPBF
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Surface Mount
2 882 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 1,020 € |
| 50+ | 0,624 € |
| 250+ | 0,449 € |
| 1000+ | 0,326 € |
| 2000+ | 0,318 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
5,10 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroSI4435DYTRPBF
Tilauskoodi2577192
TuotevalikoimaHEXFET
Vaihtoehtoinen nimiSP001573756
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (3)
Vaihtoehdot osanumerolle SI4435DYTRPBF
2 tuotetta löydetty
Liitännäistuotteet
4 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Thailand
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Thailand
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0001
Tuotteen jäljitettävyys