Tulosta sivu
ISZ028N03LF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroISZ028N03LF2SATMA1
Tilauskoodi4628431
TuotevalikoimaStrongIRFET 2 Series
Tekninen tuotetietolomake
4 995 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,170 € |
| 10+ | 0,822 € |
| 100+ | 0,639 € |
| 500+ | 0,542 € |
| 1000+ | 0,441 € |
| 5000+ | 0,395 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
1,17 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroISZ028N03LF2SATMA1
Tilauskoodi4628431
TuotevalikoimaStrongIRFET 2 Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id128A
Drain Source On State Resistance2800µohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
128A
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys