Tulosta sivu
IRLML2803TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIRLML2803TRPBF
Tilauskoodi9102701
Vaihtoehtoinen nimiSP001572964
Tekninen tuotetietolomake
245 849 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,267 € |
| 10+ | 0,164 € |
| 100+ | 0,117 € |
| 500+ | 0,109 € |
| 1000+ | 0,0943 € |
| 5000+ | 0,0724 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 5
Useita: 5
1,34 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIRLML2803TRPBF
Tilauskoodi9102701
Vaihtoehtoinen nimiSP001572964
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id850mA
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
MSL-
Tuotteen yleiskatsaus
The IRLML2803PBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Fifth generation HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Ultra low on-resistance
- ±20V gate-source voltage
- Halogen-free
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
MSL
-
Continuous Drain Current Id
850mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (1)
Vaihtoehdot osanumerolle IRLML2803TRPBF
1 tuote löytyi
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Philippines
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000033