Tulosta sivu
IRFH7004TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIRFH7004TRPBF
Tilauskoodi2253782
Vaihtoehtoinen nimiSP001570954
Tekninen tuotetietolomake
389 Varastossa
8 000 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,050 € |
| 10+ | 0,843 € |
| 100+ | 0,707 € |
| 500+ | 0,615 € |
| 1000+ | 0,596 € |
| 5000+ | 0,595 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,05 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIRFH7004TRPBF
Tilauskoodi2253782
Vaihtoehtoinen nimiSP001570954
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0011ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation156W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
HEXFET® power MOSFET Suitable for brushed motor drive, BLDC motor drive, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier, Resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle IRFH7004TRPBF
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000033
Tuotteen jäljitettävyys