Tulosta sivu
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Ei valmisteta enää
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIRF7494PBF
Tilauskoodi1298546
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Vaihtoehdot osanumerolle IRF7494PBF
1 tuote löytyi
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Thailand
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Thailand
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0005