Tarvitsetko enemmän?
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,440 € | 
| 10+ | 1,490 € | 
| 50+ | 1,330 € | 
| 100+ | 1,160 € | 
| 250+ | 1,140 € | 
Tuotetiedot
Tuotteen yleiskatsaus
The IRF3205STRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
Sovellukset
Power Management
Tekniset tiedot
N Channel
110A
TO-263 (D2PAK)
10V
200W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
8000µohm
Surface Mount
4V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (3)
Vaihtoehdot osanumerolle IRF3205STRLPBF
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
RoHS
RoHS
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus