Tulosta sivu
IRF100B201
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIRF100B201
Tilauskoodi2709888
TuotevalikoimaStrongIRFET, HEXFET
Vaihtoehtoinen nimiSP001561498
Tekninen tuotetietolomake
6 336 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,320 € |
| 10+ | 1,350 € |
| 100+ | 1,250 € |
| 500+ | 1,010 € |
| 1000+ | 0,870 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,32 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIRF100B201
Tilauskoodi2709888
TuotevalikoimaStrongIRFET, HEXFET
Vaihtoehtoinen nimiSP001561498
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id192A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation441W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
HEXFET® power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/AC inverters , DC/DC and AC/DC converters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
192A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
441W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002268
Tuotteen jäljitettävyys