Tulosta sivu
IPW60R041P6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPW60R041P6FKSA1
Tilauskoodi2709899
TuotevalikoimaCoolMOS P6
Vaihtoehtoinen nimiIPW60R041P6, SP001091630
Tekninen tuotetietolomake
658 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 9,760 € |
| 5+ | 9,060 € |
| 10+ | 8,360 € |
| 50+ | 5,480 € |
| 100+ | 5,280 € |
| 250+ | 5,270 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
9,76 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPW60R041P6FKSA1
Tilauskoodi2709899
TuotevalikoimaCoolMOS P6
Vaihtoehtoinen nimiIPW60R041P6, SP001091630
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id77.5A
Drain Source On State Resistance0.037ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation481W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
600V CoolMOS™ P6 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- Halogen free moulded compound
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
77.5A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
481W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P6
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle IPW60R041P6FKSA1
1 tuote löytyi
Liitännäistuotteet
3 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00542
Tuotteen jäljitettävyys