Tulosta sivu
IPW60R017C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPW60R017C7XKSA1
Tilauskoodi2839474
TuotevalikoimaCoolMOS C7
Vaihtoehtoinen nimiIPW60R017C7, SP001313542
Tekninen tuotetietolomake
215 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 17,700 € |
| 5+ | 15,480 € |
| 10+ | 13,260 € |
| 50+ | 11,040 € |
| 100+ | 9,780 € |
| 250+ | 9,770 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
17,70 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPW60R017C7XKSA1
Tilauskoodi2839474
TuotevalikoimaCoolMOS C7
Vaihtoehtoinen nimiIPW60R017C7, SP001313542
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id109A
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation446W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
600V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Increased efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
- Best in class RDS(on)/package
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Increased power density solutions due to smaller packages
- Higher switching frequencies possible without loss in efficiency due to low Eoss and Qg
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
109A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
446W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
-
Tekniset asiakirjat (1)
Vaihtoehdot osanumerolle IPW60R017C7XKSA1
1 tuote löytyi
Liitännäistuotteet
4 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0001