Tulosta sivu
IPP65R110CFDXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-220, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPP65R110CFDXKSA1
Tilauskoodi2726071
TuotevalikoimaCoolMOS CF2
Vaihtoehtoinen nimiIPP65R110CFD, SP000895226
Tekninen tuotetietolomake
492 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
Saatavilla kunnes tavara loppuu
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 4,740 € |
| 10+ | 3,990 € |
| 100+ | 3,220 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
4,74 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPP65R110CFDXKSA1
Tilauskoodi2726071
TuotevalikoimaCoolMOS CF2
Vaihtoehtoinen nimiIPP65R110CFD, SP000895226
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31.2A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation277.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CF2
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Vaihtoehdot osanumerolle IPP65R110CFDXKSA1
1 tuote löytyi
Tuotteen yleiskatsaus
650V CoolMOS™ CFD7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in resonant switching PWM stages e.g. PC silverbox, LCD TV, lighting, server, telecom and solar.
- Ultra-fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rds(on)*Qg and Eoss
- Easy to use/drive
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Halogen free according to IEC61249-2-21
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31.2A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
277.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CF2
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
3 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002