Tulosta sivu
IPL65R070C7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPL65R070C7AUMA1
Tilauskoodi2726062
TuotevalikoimaCoolMOS C7
Vaihtoehtoinen nimiIPL65R070C7, SP001032720
Tekninen tuotetietolomake
1 104 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 4,870 € |
| 10+ | 4,250 € |
| 100+ | 3,650 € |
| 500+ | 3,310 € |
| 1000+ | 3,240 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
4,87 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPL65R070C7AUMA1
Tilauskoodi2726062
TuotevalikoimaCoolMOS C7
Vaihtoehtoinen nimiIPL65R070C7, SP001032720
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation169W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
650V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) *Eoss and RDS(on)*Qg
- Thin PAK SMD package with very low parasitic inductance to enable fast and reliable switching
- Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Enabling higher frequency/increased power density solutions
- System cost/size savings due to reduced cooling requirements
- Higher system reliability due to lower operating temperatures
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
169W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tekniset asiakirjat (1)
Liitännäistuotteet
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.004196