Tulosta sivu
IPG20N10S436AATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.036 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPG20N10S436AATMA1
Tilauskoodi3227664
TuotevalikoimaOptiMOS-T2 Series
Vaihtoehtoinen nimiIPG20N10S4-36A, SP001102930
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 14 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,810 € |
| 10+ | 1,030 € |
| 100+ | 0,743 € |
| 500+ | 0,622 € |
| 1000+ | 0,559 € |
| 5000+ | 0,478 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
1,81 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPG20N10S436AATMA1
Tilauskoodi3227664
TuotevalikoimaOptiMOS-T2 Series
Vaihtoehtoinen nimiIPG20N10S4-36A, SP001102930
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.036ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel43W
Power Dissipation P Channel43W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
43W
Product Range
OptiMOS-T2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.036ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00001
Tuotteen jäljitettävyys