Tulosta sivu
IPD80R2K7C3AATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
677 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,768 € |
| 500+ | 0,630 € |
| 1000+ | 0,600 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
81,80 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPD80R2K7C3AATMA1
Tilauskoodi3155114RL
TuotevalikoimaCoolMOS
Vaihtoehtoinen nimiIPD80R2K7C3A, SP001065818
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance2.7ohm
On Resistance Rds(on)2.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd42W
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
2.7ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
42W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
2.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (1)
Vaihtoehdot osanumerolle IPD80R2K7C3AATMA1
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000142
Tuotteen jäljitettävyys