Tulosta sivu
IPB60R299CPAATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIPB60R299CPAATMA1
Tilauskoodi3294653
TuotevalikoimaCoolMOS
Vaihtoehtoinen nimiIPB60R299CPA, SP000539970
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation96W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Vaihtoehdot osanumerolle IPB60R299CPAATMA1
1 tuote löytyi
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.019958
Tuotteen jäljitettävyys