Tulosta sivu
IMDQ65R007M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 196 A, 650 V, 0.061 ohm, HDSOP
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIMDQ65R007M2HXUMA1
Tilauskoodi4667117
TuotevalikoimaCoolSiC G2 Series
Vaihtoehtoinen nimiIMDQ65R007M2H, SP006051118
Tekninen tuotetietolomake
118 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 25,370 € |
| 5+ | 24,900 € |
| 10+ | 24,400 € |
| 50+ | 19,560 € |
| 100+ | 18,500 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
25,37 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIMDQ65R007M2HXUMA1
Tilauskoodi4667117
TuotevalikoimaCoolSiC G2 Series
Vaihtoehtoinen nimiIMDQ65R007M2H, SP006051118
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id196A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.061ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation937W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
196A
Drain Source On State Resistance
0.061ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
937W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys