Tulosta sivu
IMBG120R116M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIMBG120R116M2HXTMA1
Tilauskoodi4376966
TuotevalikoimaCoolSiC Gen 2 Series
Vaihtoehtoinen nimiIMBG120R116M2H, SP005825857
Tekninen tuotetietolomake
Pakkausvaihtoehdot
960 Varastossa
1 000 Voit varata tuotteen varastosta nyt
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 5,660 € |
| 10+ | 4,040 € |
| 100+ | 2,920 € |
| 500+ | 2,910 € |
| 1000+ | 2,660 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
5,66 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIMBG120R116M2HXTMA1
Tilauskoodi4376966
TuotevalikoimaCoolSiC Gen 2 Series
Vaihtoehtoinen nimiIMBG120R116M2H, SP005825857
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id21.2A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1157ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation123W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
21.2A
Drain Source On State Resistance
0.1157ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
123W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001
Tuotteen jäljitettävyys