Tulosta sivu
IGT65R140D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIGT65R140D2XTMA1
Tilauskoodi4640396RL
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 2,280 € |
| 500+ | 1,910 € |
| 1000+ | 1,630 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
233,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIGT65R140D2XTMA1
Tilauskoodi4640396RL
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Typical Gate Charge1.8nC
No. of Pins8Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
13A
Typical Gate Charge
1.8nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00001
Tuotteen jäljitettävyys