Tulosta sivu
IGT65R025D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIGT65R025D2XTMA1
Tilauskoodi4640393RL
Tekninen tuotetietolomake
1 500 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 10+ | 12,530 € |
| 50+ | 11,280 € |
| 100+ | 10,480 € |
| 250+ | 10,270 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 10
Useita: 1
130,30 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIGT65R025D2XTMA1
Tilauskoodi4640393RL
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins8Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
70A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00001
Tuotteen jäljitettävyys