Tulosta sivu
IGC033S101XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, VSON, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIGC033S101XTMA1
Tilauskoodi4640390RL
Vaihtoehtoinen nimiIGC033S101, SP005751570
Tekninen tuotetietolomake
2 498 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 1,950 € |
| 500+ | 1,680 € |
| 1000+ | 1,550 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
200,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIGC033S101XTMA1
Tilauskoodi4640390RL
Vaihtoehtoinen nimiIGC033S101, SP005751570
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins6Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
IGC033S101XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacentre 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- High switching frequency
- No reverse recovery charge
- Reverse conduction capability
- Low gate charge, low output charge and qualified according to JEDEC
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin VSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
76A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00001
Tuotteen jäljitettävyys