Tulosta sivu
IFF450B12ME4PB11BPSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIFF450B12ME4PB11BPSA1
Tilauskoodi2986381
TuotevalikoimaEconoDUAL 3
Vaihtoehtoinen nimiIFF450B12ME4P_B11, SP001377612
Tekninen tuotetietolomake
6 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 141,190 € |
| 5+ | 138,370 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
141,19 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIFF450B12ME4PB11BPSA1
Tilauskoodi2986381
TuotevalikoimaEconoDUAL 3
Vaihtoehtoinen nimiIFF450B12ME4P_B11, SP001377612
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current450A
DC Collector Current450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoDUAL 3
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoDUAL 3
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Hungary
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00036
Tuotteen jäljitettävyys