Tulosta sivu
IDD08SG60CXTMA2
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ Gen III Series, Single, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIDD08SG60CXTMA2
Tilauskoodi3625435RL
TuotevalikoimathinQ Gen III Series
Vaihtoehtoinen nimiIDD08SG60C, SP001632510
Tekninen tuotetietolomake
3 994 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 2,050 € |
| 500+ | 1,850 € |
| 1000+ | 1,810 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
210,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIDD08SG60CXTMA2
Tilauskoodi3625435RL
TuotevalikoimathinQ Gen III Series
Vaihtoehtoinen nimiIDD08SG60C, SP001632510
Tekninen tuotetietolomake
Product RangethinQ Gen III Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage600V
Average Forward Current8A
Total Capacitive Charge12nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Product Range
thinQ Gen III Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
600V
Total Capacitive Charge
12nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
8A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002268
Tuotteen jäljitettävyys