Tulosta sivu
IAUC60N04S6L030HATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0023 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIAUC60N04S6L030HATMA1
Tilauskoodi3648082
TuotevalikoimaOptiMOS 6 Series
Vaihtoehtoinen nimiIAUC60N04S6L030H, SP004134512
Tekninen tuotetietolomake
18 310 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,010 € |
| 10+ | 0,925 € |
| 100+ | 0,820 € |
| 500+ | 0,692 € |
| 1000+ | 0,625 € |
| 5000+ | 0,599 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
1,01 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroIAUC60N04S6L030HATMA1
Tilauskoodi3648082
TuotevalikoimaOptiMOS 6 Series
Vaihtoehtoinen nimiIAUC60N04S6L030H, SP004134512
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0023ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel75W
Power Dissipation P Channel75W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
QualificationAEC-Q101
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
75W
Product Range
OptiMOS 6 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0023ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0001
Tuotteen jäljitettävyys