Tulosta sivu
GS61008TMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
250 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 7,730 € |
| 5+ | 7,300 € |
| 10+ | 6,860 € |
| 50+ | 6,620 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
7,73 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroGS61008TMRXUSA1
Tilauskoodi4715934
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
Typical Gate Charge8nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
90A
Typical Gate Charge
8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Thailand
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Thailand
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001